SIA427DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA427DJ-T1-GE3
Price: 8.88 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

781-SIA427DJ-T1-GE3

製造商編號：

SIA427DJ-T1-GE3

製造商：

Vishay Semiconductors

說明：

MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

規格書:

SIA427DJ-T1-GE3 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$8.88	HK$8.88
	HK$6.35	HK$63.50
	HK$3.95	HK$395.00
	HK$2.72	HK$1,360.00
	HK$2.42	HK$2,420.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$2.06	HK$6,180.00
	HK$1.76	HK$10,560.00
	HK$1.64	HK$14,760.00
	HK$1.47	HK$35,280.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SC-70-6
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	8 V
Id - C連續漏極電流:	12 A
Rds On - 漏-源電阻:	95 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 5 V, 5 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	800 mV
Qg - 閘極充電:	50 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	19 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	TrenchFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
產品類型:	MOSFETs
系列:	SIA
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
零件號別名:	SIA427DJ-GE3
每件重量:	11.688 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SIA427DJ-T1-GE3 規格書 (PDF)

PCN

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiA427DJ 8V TrenchFET®功率MOSFET

Vishay Siliconix SiA427DJ 8V TrenchFET®功率MOSFET采用耐熱增強型PowerPAK SC-70 2mm x 2mm封裝面積，且具有用於P通道裝置的最低導通電阻。Vishay Siliconix SiA427DJ的導通電阻較最具競爭性的P通道裝置低達47%。SiA427DJ TrenchFET功率MOSFET的1.2V低導通電阻額定值，令它們成為低匯流排電壓的最佳選擇。MOSFET因電源線差異所達到的1.5V及1.8V低導通電阻亦有利於採用1.2V功率匯排流之應用，令SiA427DJ可在整體上達致低耗能的最佳效果。Vishay Siliconix SiA427DJ的超小型PowerPAK SC-70封裝經最佳化以用於體積較小的手持式電子產品。它是手機、智慧型手機、MP3播放器、數位相機等設備上的負載開關的最佳選擇。