NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module

onsemi NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module offers three channels, higher output power, and easy module mounting. Each channel contains two 1000V, 100A IGBTs, two 1200V, 30A SiC diodes, and two 1600V, 30A bypass diodes. The Q2BOOST Module provides excellent efficiency and thermal losses, with the flexibility to support different manufacturing processes.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 連續集電極電流在25 C 柵射極漏電電流 Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi IGBT 模組 PIM 1500V 250KW Q2BOOST 36庫存量
最少: 1
倍數: 1
Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
onsemi IGBT 模組 MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST 36庫存量
最少: 1
倍數: 1
IGBT Modules Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT 模組 MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST 72工廠有庫存
最少: 36
倍數: 36

SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Tray