Low Latency DRAMs

GSI Technology Low Latency DRAMs are ideal for advanced data networking applications with a low random cycle time and eight-bank memory array architecture. GSI Technology Low Latency DRAMs have double data rate transfers for performance unmatched by commodity DRAM. An SRAM-like address interface makes Low Latency DRAMs easier to use while allowing the devices to maintain near-100% bus utilization for networking tasks.

結果: 8
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 533MHz, Commercial Temp
規格書
暫無庫存
最少： 36
倍數： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 533MHz, Industrial Temp
規格書
暫無庫存
最少： 36
倍數： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 400MHz, Commercial Temp
規格書
暫無庫存
最少： 36
倍數： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM 8M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 36
倍數： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 400MHz, Commercial Temp
規格書
暫無庫存
最少： 36
倍數： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM 8M x 36 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 36
倍數： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL Tray
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 300MHz, Commercial Temp
規格書
暫無庫存
最少： 36
倍數： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C GS4288C36GL
GSI Technology DRAM LLDRAM II, 288Mb, x36, 300MHz, Industrial Temp
規格書
暫無庫存
最少： 36
倍數： 36

LLDRAM II 288 Mbit 36 bit 533 MHz uBGA-144 8 M x 36 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C GS4288C36GL