CoolMOS™ CE Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ CE Power MOSFETs are a technology platform of high voltage power MOSFETs that are designed according to the super junction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. CoolMOS™ CE portfolio offers 500V, 600V, 650V, 700V, and 800V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, adapters for notebook and laptops, LCD, LED TV and LED lighting. This new series of CoolMOS™ is cost-optimized to meet typical requirements in consumers with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still being price attractive.

結果: 109
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 500
倍數： 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 500
倍數： 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
規格書
無庫存前置作業時間 13 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
規格書
無庫存前置作業時間 13 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 1 Channel 650 V 10.1 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 86 W CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
規格書
無庫存前置作業時間 21 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.6 A 3.4 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
規格書
無庫存前置作業時間 17 週
最少： 500
倍數： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
規格書
無庫存前置作業時間 13 週
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
規格書
無庫存前置作業時間 13 週
最少： 240
倍數： 240

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube