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SISD5300DN-T1-GE3

Name: Vishay SISD5300DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISD5300DN-T1-GE3
Price: 19.73 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

78-SISD5300DN-T1-GE3

製造商編號：

SISD5300DN-T1-GE3

製造商：

Vishay / Siliconix

說明：

MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 62A

規格書:

SISD5300DN-T1-GE3 規格書

ECAD模型:

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HK$-.--

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HK$-.--

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$19.73	HK$19.73
	HK$12.66	HK$126.60
	HK$8.71	HK$871.00
	HK$6.92	HK$3,460.00
	HK$6.68	HK$6,680.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$5.53	HK$16,590.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerPAK 1212-F-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	198 A
Rds On - 漏-源電阻:	870 uOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 12 V, 16 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
Qg - 閘極充電:	27 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	57 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降時間:	15 ns
互導 - 最小值:	162 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	90 ns
系列:	SISD
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	32 ns
標準開啟延遲時間:	26 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SISD5300DN-T1-GE3 規格書

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiSD5300DN 30V N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiSD5300DN 30V N-Channel MOSFET is a TrenchFET® Gen V power MOSFET utilizing source flip technology that enhances thermal performance. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, SiSD5300DN features a very low drain-source resistance and gate charge figure of merit (FOM). Applications include DC/DC converters, synchronous rectification, battery management, O-rings, and load switches.

POWERPAK® 1212 MOSFETs

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.