RH7G04 40V N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-Channel Power MOSFETs are 40V drain-source voltage (VDSS) and ±40A continuous drain current (ID) rated automotive-grade MOSFETs that are AEC-Q101 qualified. These MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance [RDS(ON)] and are available in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7G04 MOSFETs are ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
封裝
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 P CHAN 30V
規格書
2,180庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 40V
規格書
2,400庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 40V
規格書
3,000預期13/2/2026
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape