MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-基極電壓VCBO 發射機-基極電壓VEBO 集電極-發射極飽和電壓 Pd - 功率消耗 增益帶寬積 fT 最低工作溫度 最高工作溫度 資格 封裝
Panjit 雙極結晶體管 - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified 26,735庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit 雙極結晶體管 - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 29,441庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel