SCT2H12NWBTL1

ROHM Semiconductor
755-SCT2H12NWBTL1
SCT2H12NWBTL1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET TO263 1.7KV N-CH 3.9A

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 234

庫存：
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在途量:
800
預期10/7/2026
工廠前置作業時間：
23
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$42.74 HK$42.74
HK$30.58 HK$305.80
HK$21.95 HK$2,195.00
HK$19.97 HK$9,985.00
完整捲（訂購多個800）
HK$19.97 HK$15,976.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: 碳化矽MOSFET
SMD/SMT
TO-263CA-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
3.9 A
1.5 Ohms
- 6 V to + 22 V
4 V
24 nC
+ 175 C
39 W
Enhancement
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 32 ns
互導 - 最小值: 0.4 S
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品: SiC MOSFETS
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 25 ns
原廠包裝數量: 800
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: N-channel SiC power MOSFET
標準斷開延遲時間: 24 ns
標準開啟延遲時間: 12 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SCT2H12NWB 1700V N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N-Channel SiC Power MOSFET is a 1700V drain-source voltage (VDSS) and 3.9A continuous drain current (ID) rated device. The drain-source on-state resistance [RDS(ON)] for the device is 1.15mΩ (typ.) (VGS = 18V, ID = 1.1A, Tvj = +25°C) and it comes in a 15.5mm x 10.2mm TO-263CA (TSMT3) package. This device offers a fast switching speed, a wide creepage distance, and is simple to drive. The ROHM Semiconductor SCT2H12NWB MOSFET is ideal for auxiliary and switch-mode power supply applications.

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