似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

SIJK140E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK140E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJK140E-T1-GE3
Price: 60.5 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

78-SIJK140E-T1-GE3

製造商編號：

SIJK140E-T1-GE3

製造商：

Vishay / Siliconix

說明：

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

SIJK140E-T1-GE3 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Vishay / Siliconix SIJK140E-T1-GE3的資訊

庫存量: 2,005

庫存：: 2,005 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 9 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$60.50	HK$60.50
	HK$42.74	HK$427.40
	HK$36.91	HK$3,691.00
	HK$34.85	HK$52,275.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerPAK 10x12
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	40 V
Id - C連續漏極電流:	795 A
Rds On - 漏-源電阻:	470 uOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.5 V
Qg - 閘極充電:	312 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	536 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降時間:	45 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	45 ns
系列:	SiJK140E
原廠包裝數量:	1500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	85 ns
標準開啟延遲時間:	40 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SIJK140E-T1-GE3 規格書

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiJK140E N溝道40V (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix SiJK140E N-Channel 40V (D-S) MOSFET features TrenchFET^® Gen V power technology. This MOSFET optimizes power efficiency, and the R_DS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. The SiJK140E MOSFET is 100% R_g and UIS tested. This power MOSFET enhances power dissipation and lowers thermal resistance (R_thJC). Typical applications include synchronous rectification, automation, OR-ing and hot-swap switches, power supplies, motor drive control, and battery management.

Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs in PowerPAK^® 10 x 12 packaging feature power technology. These power MOSFETs optimize power efficiency, while the R_DS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. These components are 100% Rg and UIS tested. Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs enhance power dissipation and lower thermal resistance (R_thJC). Typical applications include synchronous rectification, automation, and power supplies.