SIHx5N80AE Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SIHx5N80AE Power MOSFETs feature a low figure-of-merit, low effective capacitance, and reduced switching and conduction losses. The Vishay / Siliconix SIHx5N80AE Power MOSFETs provide an 850V drain-source voltage and are ideal for server and telecom power supplies. Additionally, the SIHx5N80AE MOSFETs utilize an ultra-low gate charge and integrated Zener diode ESD protection.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 封裝
Vishay / Siliconix MOSFET DPAK 800V 4.4A E SERIES 2,914庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 3A E SERIES 1,814庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 100 V 2,899庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape