NTH4L014N120M3P

Name: onsemi NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L014N120M3P
Price: 236.9 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NTH4L014N120M3P

製造商編號：

NTH4L014N120M3P

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L

規格書:

NTH4L014N120M3P 規格書

ECAD模型:

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HK$-.--

總價:

HK$-.--

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$236.90	HK$236.90
	HK$175.09	HK$1,750.90
	HK$173.03	HK$17,303.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	127 A
Rds On - 漏-源電阻:	20 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.63 V
Qg - 閘極充電:	329 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	686 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	EliteSiC
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	13 ns
互導 - 最小值:	29 S
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	40 ns
系列:	NTH4L014N120M3P
原廠包裝數量:	450
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	68 ns
標準開啟延遲時間:	26 ns

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所選屬性: 0

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規格書

NTH4L014N120M3P 規格書

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M3P EliteSiC MOSFETs

onsemi M3P EliteSiC MOSFETs are a solution for high-voltage applications with a maximum voltage rating of 1200V. The onsemi M3P MOSFETs come in D2PAK7, TO-247-3LD, and TO-247-4LD packages/ The MOSFETs provide versatility for various design requirements. With a maximum gate-to-source voltage of +22V/-10V, EliteSiC MOSFETs boast improved parasitic capacitances, including Coss, Ciss, and Crss.