FGH4L50T65MQDC50

onsemi
863-FGH4L50T65MQDC50
FGH4L50T65MQDC50

製造商:

說明:
IGBT 650V 50A FS4 HYBRID IGBT INDUSTRIAL (TO247-4L)

壽命週期:
工廠指定訂單:
獲取報價以驗證製造商的當前價格、前置時間和訂購要求。
ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 425

庫存:
425 可立即送貨
工廠前置作業時間:
15 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
數量超過425會受到最小訂單要求的限制。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$89.52 HK$89.52
HK$48.25 HK$482.50

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-4LD
Through Hole
Single
650 V
1.45 V
- 20 V, 20 V
100 A
246 W
- 55 C
+ 175 C
FGH4L50T65MQDC50
Tube
品牌: onsemi
集電極最大連續電流Ic : 100 A
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 30
子類別: IGBTs
公司名稱: EliteSiC
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

FGH4L50T65MQDC50 650V Field Stop Mid Speed IGBT

onsemi FGH4L50T65MQDC50 650V Field Stop Mid Speed IGBT uses 4th-generation field-stop IGBT technology and 1.5 SiC Schottky Diode technology. The onsemi FGH4L50T65MQDC50 is housed in a compact TO-247 4-lead package. This device delivers efficiency through minimal conduction and switching losses. The FGH4L50T65MQDC50 is designed for various applications.

儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量,供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力,以便在需要時使用。