DDR2 SDRAM

ISSI DDR2 SDRAM uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The double-data-rate architecture is essentially a 4n-prefetch architecture, with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O balls. ISSI DDR2 SDRAM has on-die termination (ODT) and programmable burst lengths of 4 or 8. The on-chip DLL aligns DQ and DQs transitions with CK transitions. 

結果: 53
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320D Tray
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 242
倍數: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 242
倍數: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray