STGWT28IH125DF

Name: STMicroelectronics STGWT28IH125DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT28IH125DF
Price: 13.15 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STGWT28IH125DF

製造商編號：

STGWT28IH125DF

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT 1250V 25A trench gte field-stop IGBT

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規格書:

STGWT28IH125DF 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$13.15	HK$7,890.00
	HK$12.74	HK$34,398.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-3P-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	1.25 kV
集電極-發射極飽和電壓:	2.65 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	60 A
Pd - 功率消耗 :	375 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STGWT28IH125DF
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic :	30 A
柵射極漏電電流:	250 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	300
子類別:	IGBTs
每件重量:	7 g

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所選屬性: 0

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規格書

STGWT28IH125DF 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGWT28IH125DF Trench Gate Field-Stop IGBT

STMicroelectronics STGWT28IH125DF Trench Gate Field-Stop IGBTs feature an advanced proprietary trench gate field-stop structure. Performance is optimized in both conduction and switching losses. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is co-packaged. STMicroelectronics STGWT28IH125DF IGBTs maximize efficiency for any resonant and soft-switching application.