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SIRA99DP-T1-GE3

Name: Vishay SIRA99DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIRA99DP-T1-GE3
Price: 28.28 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

78-SIRA99DP-T1-GE3

製造商編號：

SIRA99DP-T1-GE3

製造商：

Vishay Semiconductors

說明：

MOSFET PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A

規格書:

SIRA99DP-T1-GE3 規格書

ECAD模型:

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庫存量: 2,824

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$28.28	HK$28.28
	HK$18.50	HK$185.00
	HK$12.91	HK$1,291.00
	HK$11.18	HK$5,590.00
	HK$10.69	HK$10,690.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$9.04	HK$27,120.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerPAK-SO-8
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	195 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.7 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 16 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1 V
Qg - 閘極充電:	172.5 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	104 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	PowerPAK
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降時間:	57 ns
互導 - 最小值:	114 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	183 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 P-Channel
標準斷開延遲時間:	64 ns
標準開啟延遲時間:	69 ns
每件重量:	506.600 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiRA99DP 30V P-Channel MOSFET

Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V P-Channel MOSFET is a TrenchFET^®Gen IV power MOSFET with low on-resistance, minimizing voltage drop and reducing conduction loss. This SiRA99DP operates in a temperature range of -55°C to +150°C and is available in a single configuration PowerPAK^® SO-8 package. Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V P-Channel MOSFET is RoHS compliant and halogen free. Typical applications include load switches, adapter and charger switches, battery protection, and motor drive control.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.