NVBG050N170M1

onsemi
863-NVBG050N170M1
NVBG050N170M1

製造商:

說明:
碳化矽MOSFET SIC 1700V M1 52MO D2PAK-7

壽命週期:
壽命結束:
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ECAD模型:
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供貨情況

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17 週 工廠預計生產時間。
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最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$174.02 HK$174.02
HK$142.37 HK$1,423.70
HK$125.85 HK$12,585.00
完整捲(訂購多個800)
HK$125.68 HK$100,544.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
50 A
76 mOhms
- 15 V, 25 V
4.3 V
107 nC
- 55 C
+ 175 C
385 W
Enhancement
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 13 ns
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品: SiC MOSFETS
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 22 ns
系列: NVBG050N170M1
原廠包裝數量: 800
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 44 ns
標準開啟延遲時間: 14 ns
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所選屬性: 0

ECCN:
EAR99

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a part of the 1700V M1 planar SiC MOSFET family optimized for fast switching applications. This MOSFET features a maximum 76mΩ @ 20V maximum RDS(ON), 1700V drain-to-source voltage, 50A continuous drain current, and ultra-low gate charge (typical QG(tot) = 107nC). The NVBG050N170M1 SiC MOSFET operates at low effective output capacitance (typical Coss = 97pF) and -15V/+25V gate-to-source voltage. This SiC MOSFET is 100% avalanche tested and is available in a D2PAK-7L package. The NVBG050N170M1 SiC MOSFET is Pb-free 2LI, Halide-free, and RoHS compliant with exemption 7a. Typical applications include a flyback converters, an automotive DC-DC converters for EVs/HEVs, and an automotive On Board Chargers (OBCs).