CGHV50200F

Name: MACOM CGHV50200F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV50200F
Price: 13562.1 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

941-CGHV50200F

製造商編號：

CGHV50200F

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

規格書:

CGHV50200F 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$13,562.10	HK$135,621.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
付運限制：	此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	4402015
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	150 V
Id - C連續漏極電流:	17 A
Vgs th - 門源門限電壓 :	- 3.4 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
品牌:	MACOM
開發套件:	CGHV50200F-AMP
增益:	11.5 dB
最大工作頻率:	5 GHz
最低工作頻率:	4.4 GHz
輸出功率:	180 W
封裝:	Tray
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	10
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V to 2 V

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篩選文檔:

規格書

CGHV50200F 規格書 (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: 3A001.b.3.a

CGHV50200F GaN HEMT

MACOM CGHV50200F 200W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is ideal for SatCom applications, such as troposcatter communications and beyond line-of-sight (BLOS). Thise GaN HEMT is matched to 50Ω for ease of use and is designed for continuous wave (CW), pulse, and linear modes of power amplifier operation. The device is supplied in a ceramic/metal flange type 440217 package and offers high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. MACOM CGHV50200F GaN HEMT delivers a higher breakdown voltage, higher temperature operation, higher efficiency, higher thermal conductivity, higher power density, and wider bandwidths than conventional silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) devices.