IRF100B201

Infineon Technologies
942-IRF100B201
IRF100B201

製造商:

說明:
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

ECAD模型:
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庫存量: 18,592

庫存:
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26 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$23.59 HK$23.59
HK$15.12 HK$151.20
HK$11.84 HK$1,184.00
HK$11.51 HK$5,755.00
HK$11.34 HK$11,340.00
HK$11.10 HK$55,500.00
25,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
192 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 100 ns
互導 - 最小值: 278 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 97 ns
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 110 ns
標準開啟延遲時間: 17 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
馬來西亞
封裝原產國:
中國
擴散國:
馬來西亞
出貨時,國家可能會有所變更。

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Infineon IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs are 100V, single N-channel MOSFETs with enhanced body diode dV/dt and dl/dt capability. These MOSFETs provide improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, fully characterized capacitance, and avalanche Safe Operating Area (SOA). The IRF100x201 MOSFETs come in TO-220 and D2-Pak packages and are RoHS compliant, lead-free, and halogen-free. Applications include brushed and BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, power supplies, and power switches.