RxP120BLFRA Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RxP120BLFRA Power MOSFETs are automotive-grade MOSFETs that are AEC-Q101 qualified. The devices supply 100V drain-source breakdown voltage, 62mΩ static drain-source on-state resistance, and ±12A continuous drain current. The ROHM RxP120BLFRA Power MOSFETs are ideal for automotive applications, including ADAS, infotainment, lighting, and body.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
封裝
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT N CHAN 100V
規格書
2,100庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 62 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN7 N CHAN 100V
規格書
3,000預期5/3/2026
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT DFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 61 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape