QPD2025D

Qorvo
772-QPD2025D
QPD2025D

製造商:

說明:
RF JFET晶體管 0.25 mm Pwr pHEMT

ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 100

庫存:
100 可立即送貨
工廠前置作業時間:
20 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
數量超過100會受到最小訂單要求的限制。
最少: 100   多個: 100
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
完整捲(訂購多個100)
HK$76.69 HK$7,669.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Qorvo
產品類型: RF JFET晶體管
RoHS:  
pHEMT
Reel
品牌: Qorvo
產品類型: RF JFET Transistors
系列: QPD2025D
原廠包裝數量: 100
子類別: Transistors
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die is developed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. The process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. The QPD2025D operates from DC to 20GHz with 24dBm typical output power at P1dB with a gain of 14dB and 58% power-added efficiency at 1dB compression. With this performance level, the device is ideal for high-efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride delivers environmental robustness and scratch protection.