TOLL 封裝型高壓 DTMOS VI MOSFET

TOLL 封裝 Toshiba 高壓 DTMOS VI MOSFET 具有低漏源導通電阻 (Rdson) 和高速開關特性以及較低的電容。這使它們適用於開關電源應用。最新一代 DTMOS VI 提供最低的 RDS(ON)xQgd 品質因數,並採用新的 TOLL 封裝 (9.9 × 11.68 × 2.3mm),具有開爾文源連接,以減少開啟和關閉損耗。

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 封裝
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 1,058庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 47 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ 3,792庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 86 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 2,000庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 149 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ 1,232庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 62 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
6,000在途量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 65 nC 270 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT 2-10AF1A-9 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 122 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel