IXSH80N120L2KHV

IXYS
747-IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV

製造商:

說明:
碳化矽MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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庫存量: 392

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工廠前置作業時間:
27 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$102.34 HK$102.34
HK$83.35 HK$833.50
HK$69.46 HK$8,335.20
HK$61.81 HK$31,523.10
HK$57.79 HK$58,945.80

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
79 A
39 mOhms
- 5 V, + 20 V
135 nC
- 55 C
+ 175 C
395 W
Enhancement
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 14 ns
封裝: Tube
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 24.4 ns
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: SiC MOSFET
標準斷開延遲時間: 28.8 ns
標準開啟延遲時間: 12.8 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting good power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET is designed with an ultra-fast intrinsic body diode and offers a maximum virtual junction temperature of 175°C. The IXSH80N120L2KHV MOSFET features high blocking voltage with low on-resistance and high-speed switching with low capacitance. The IXSH80N120L2KHV MOSFET is used in switch mode power supplies, solar inverters, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating applications.