RF4L070BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4L070BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4L070BGTCR
Price: 11.26 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

755-RF4L070BGTCR

製造商編號：

RF4L070BGTCR

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET DFN2020 N-CH 60V 7A

規格書:

RF4L070BGTCR 規格書

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$11.26	HK$11.26
	HK$7.10	HK$71.00
	HK$4.70	HK$470.00
	HK$3.67	HK$1,835.00
	HK$3.35	HK$3,350.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$2.87	HK$8,610.00
	HK$2.70	HK$16,200.00
	HK$2.56	HK$23,040.00

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN-2020-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	60 V
Id - C連續漏極電流:	7 A
Rds On - 漏-源電阻:	27 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	7.6 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	2 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	4.4 ns
互導 - 最小值:	2.5 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	5.7 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	21 ns
標準開啟延遲時間:	8.7 ns
零件號別名:	RF4L070BG

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

RF4L070BGTCR 規格書

Specification Sheets

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF4L070BG N-Channel Power MOSFET

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Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.