FGY4LxxT120SWD N-Channel 1200V IGBTs

onsemi FGY4LxxT120SWD N-Channel 1200V IGBTs use the novel field stop 7th generation IGBT technology and the Gen7 Diode in a TO-247 4−lead package. The onsemi FGY4LxxT120SWD offers the optimum performance with low switching and conduction losses for high−efficiency operations in various applications like solar inverter, UPS and ESS.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
onsemi IGBT 1200V 140A FS7 IGBT TP247-4L
規格書
180庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.25 kW - 55 C + 175 C FGY4L140T120SWD Tube
onsemi IGBT 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L
規格書
176庫存量
240預期10/4/2026
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.5 kW - 55 C + 175 C FGY4L160T120SWD Tube
onsemi IGBT 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
規格書
49庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.071 kW - 55 C + 175 C FGY4L100T120SWD Tube
onsemi IGBT 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
規格書
59庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 150 A 652 W - 55 C + 175 C FGY4L75T120SWD Tube