GTVA高功率RF GaN on SiC HEMT

Wolfspeed/Cree GTVA高功率射頻碳化矽基氮化鎵HEMT為採用碳化矽基氮化鎵技術的50V高電子遷移率電晶體 (HEMT)。碳化矽基氮化鎵裝置可提供高功率密度，並具備高崩潰電壓，可用於製造高效率的功率放大器。GTVA高功率射頻碳化矽基氮化鎵HEMT採用輸入匹配、高效率且經過熱強化的封裝。這些脈衝/連續波 (CW) 裝置的脈寬為128 µs，工作週期為10%。