NVH4L095N065SC1

onsemi
863-NVH4L095N065SC1
NVH4L095N065SC1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於onsemi NVH4L095N065SC1的資訊

庫存量: 434

庫存：
434 可立即送貨
工廠前置作業時間：
9 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$104.31 HK$104.31
HK$62.64 HK$626.40
HK$59.43 HK$7,131.60

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
31 A
105 mOhms
- 5 V, + 18 V
4.3 V
50 nC
- 55 C
+ 175 C
64 W
Enhancement
EliteSiC
品牌: onsemi
下降時間: 9 ns
互導 - 最小值: 6.9 S
封裝: Tube
產品: Mosfets
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 12 ns
系列: NVH4L095N065SC1
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 20 ns
標準開啟延遲時間: 8 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVH4L095N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L095N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature advanced technology for better-switching performance and reliability. The onsemi NVH4L095N065SC1 has low ON resistance and compact chip size, resulting in reduced capacitance and gate charge. The device also has high efficiency, fast operation, increased power density, less EMI, and a smaller system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。