1200V雙IGBT模組

英飛凌1200V雙IGBT模組為EconoDUAL™ 3 1200V、900A雙TRENCHSTOP™ IGBT7模組,採用第7代發射器控制二極體、NTC和PressFIT接點技術。IGBT模組在相同外框尺寸和避免並聯的情況下提供更高的逆變器輸出電流。英飛凌1200V雙IGBT模組提供簡單可靠的組裝方式和高互連可靠性。

結果: 11
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 連續集電極電流在25 C 柵射極漏電電流 Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 900 A dual IGBT module 6庫存量
最少: 1
倍數: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 450 A dual IGBT module 17庫存量
最少: 1
倍數: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 450 A dual IGBT module 9庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 MEDIUM POWER 62MM 20庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 MEDIUM POWER 62MM 12庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 600 A dual IGBT module 19庫存量
最少: 1
倍數: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 600 A dual IGBT Module 12庫存量
最少: 1
倍數: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 600 A dual IGBT module 18庫存量
20預期26/2/2026
最少: 1
倍數: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 900 A dual IGBT module 10庫存量
最少: 1
倍數: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 750 A dual IGBT module 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 10
倍數: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 100 A PIM IGBT module 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

Tray