Trench8 MOSFET

安森美半導體Trench8 MOSFET具有低最大導通電阻(RDS(ON)、超低柵極電荷(Qg)和低(Qg) x RDS(ON),即功率轉換應用中使用的MOSFET的關鍵品質因數 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基於T6技術的優化開關性能,與Trench6系列相比,QG和Qoss降低了35%至40%。

結果: 103
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 資格 公司名稱 封裝
onsemi MOSFET T8 60V LOW COSS 無庫存前置作業時間 53 週
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT SO-8FL Reel
onsemi MOSFET T8 80V SO8FL 前置作業時間 49 週
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET TRENCH 8 80V NFET 無庫存前置作業時間 53 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 43 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel