NXH00xP120M3F2PTxG EliteSIC半橋模組

Onsemi NXH00xP120M3F2PTxG EliteSIC半橋模組是一個2件裝模組,帶有兩個3mΩ 或4mΩ 1200V SIC MOSFET開關和一個帶有HPS(氧化鋯摻雜氧化鋁)DBC(直接鍵合銅)或Si3N4(氮化矽) DBC的熱敏電阻。F2封裝的SiC MOSFET開關採用M3S技術,並具有15V至18V柵極驅動範圍。應用包括DC-AC、DC-DC和AC-DC轉換。

結果: 4
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 系列 封裝
onsemi MOSFET模組 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 25庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模組 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES 58庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET模組 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 26庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模組 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES 10庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray