SiC MOSFET

Littelfuse SiC MOSFET專為高頻、高效應用最佳化。這些耐用的SiC MOSFET採用TO-247-3L封裝,擁有超低導通電阻。Littelfuse提供內部設計、開發及製造的SiC MOSFET,這些裝置具備極低的閘極電荷與輸出電容,所有溫度範圍下均提供領先業界的效能與耐用性,且具備超低的導通電阻。現在提供1200V、120和160毫歐版本。

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式

IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET 4,196庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

IXYS 碳化矽MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet 548庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC 1,927庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement