SIHR080N60E-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHR080N60ET1GE3
SIHR080N60E-T1-GE3

製造商:

說明:
MOSFET N-CHANNEL 600V

ECAD模型:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$58.86 HK$58.86
HK$42.25 HK$422.50
HK$32.14 HK$3,214.00
HK$30.17 HK$30,170.00
完整捲(訂購多個2000)
HK$28.61 HK$57,220.00
4,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8
N-Channel
1 Channel
600 V
51 A
74 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
PowerPAK
Reel
Cut Tape
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 31 ns
互導 - 最小值: 4.6 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 96 ns
系列: SIHR E
原廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 37 ns
標準開啟延遲時間: 31 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiHR080N60E N通道功率MOSFET

Vishay/Siliconix  SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 一款第四代600V E系列功率MOSFET,採用PowerPAK®  8 x 8LR封裝。MOSFET為電訊、工業和運算應用提供更高的效率和功率密度。SiHR080N60E在10V時具有0.074Ω 的低典型導通電阻,以及低至42nC的超低閘極電荷,從而減少傳導和開關損耗,在功率系統 >2kW節省能源並提高電源系統的效率。該封裝還提供開爾文連接以提高開關效率。Vishay/Siliconix  SiHR080N60E 旨在承受雪崩模式下的過壓瞬變,並透過100% UIS測試保證極限。