D2PAK-7L封裝的750V UJ4C/SC SiC FET

UnitedSiC / Qorvo 750V UJ4C/SC SiC FET採用D2PAK-7L封裝，具有9mΩ至60mΩ的多個導通電阻選項。利用一種獨特的共射共基放大器SiC FET技術，其中一個常用SiC JFET與Si MOSFET協同封裝，以產生常斷SiC FET，這些裝置提供一流的R_DS x品質因數，從而在小鑄件中實現最低的傳導損耗。D2 PAK-7L封裝透過小巧的內部連接迴路提供較低的電感，以及隨附的Kelvin源連接，實現較低的開關損耗，實現更高的頻率運行和更高的系統功率密度。五個並行溝槽翼源連接允許低電感和高電流使用。銀質貼片實現極低的熱阻，可用於標準PCB和具有液體冷卻的IMS基板上的最大熱提取。這些SiC FET提供低體二極管、超低柵極電荷及4.8V閾值電壓，允許0V至15V驅動。FET的標準柵極驅動特性，允許對Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超級結裝置進行真正的「直接插入替換」。