QPD1026L

Name: Qorvo QPD1026L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1026L
Price: 11334.8 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

772-QPD1026L

製造商編號：

QPD1026L

製造商：

Qorvo

說明：

氮化鎵場效應管 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH

規格書:

QPD1026L 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$11,334.80	HK$11,334.80

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
品牌:	Qorvo
最大工作頻率:	450 MHz
最低工作頻率:	420 MHz
濕度敏感:	Yes
輸出功率:	1.5 kW
封裝:	Waffle
產品類型:	GaN FETs
系列:	QPD1026L
原廠包裝數量:	18
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	HEMT

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規格書

QPD1026L 規格書 (PDF)

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USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

QPD1026L GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo QPD1026L GaN RF Input-Matched Transistor is a 1300W (P3dB) discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor (GaN on SiC HEMT) operating from 420MHz to 450MHz. The QPD1026L provides a linear gain of 25.9dB at 440MHz. Input prematch within the package results in easier external board matching, saving board space. The device supports both continuous wave and pulsed operations.