似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

BGA855N6E6327XTSA1

Name: Infineon BGA855N6E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA855N6E6327XTS
Price: 5.18 HKD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-BGA855N6E6327XTS

製造商編號：

BGA855N6E6327XTSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

RF放大器 RF MMIC SUB 3 GHZ

規格書:

BGA855N6E6327XTSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Infineon Technologies BGA855N6E6327XTSA1的資訊

供貨情況

庫存：: 暫無庫存

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 24 週工廠預計生產時間。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個12000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$5.18	HK$5.18
	HK$3.64	HK$36.40
	HK$3.27	HK$81.75
	HK$2.85	HK$285.00
	HK$2.66	HK$665.00
	HK$2.54	HK$1,270.00
	HK$2.33	HK$2,330.00
	HK$2.28	HK$9,120.00
	HK$2.21	HK$17,680.00
完整捲（訂購多個12000）
	HK$2.21	HK$26,520.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	RF放大器
RoHS:
操作頻率:	1.164 GHz to 1.3 GHz
工作電源電壓:	1.1 V to 3.3 V
運作供電電流:	4.4 mA
增益:	17.6 dB
NF - 雜訊圖標:	0.6 dB
類型:	Low Noise Amplifiers
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TSNP-6
技術:	SiGe
P1dB - 壓縮點:	- 14 dBm
OIP3 - 三階交調:	1 dBm
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
系列:	BGA855N6
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Infineon Technologies
輸入返回損耗:	11 dB
隔離分貝:	22 dB
通道數:	1 Channel
Pd - 功率消耗 :	60 mW
產品類型:	RF Amplifier
原廠包裝數量:	12000
子類別:	Wireless & RF Integrated Circuits
試驗頻率:	1.214 GHz
零件號別名:	BGA 855N6 E6327 SP002337750
每件重量:	0.830 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

BGA855N6E6327XTSA1 規格書 (PDF)

Models

BGA855N6E6327XTSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8542339000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
ECCN:: EAR99

BGA855N6低雜訊RF放大器

Infineon Technologies BGA855N6低雜訊RF放大器可提升用於1164MHz至1300MHz頻率範圍的L波段應用GNSS訊號靈敏度。此放大器涵蓋GPS L2/L5、Galileo E5a、E5b、E6、Glonass G3、G2、北斗B3及B2波段。BGA855N6放大器具有17.8dB插入功率增益、低電流消耗、高線性效能、內部匹配的RF輸出及高精度。BGA855N6的高線性效能確保4G、5G NSA配置運行中的最佳靈敏度。此放大器基於Infineon Technologies B9HF矽鍺技術，並以1.1V至3.3V電源電壓運行。

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.