QPA0001 GaN Driver Amplifiers

Qorvo QPA0001 GaN Driver Amplifiers are based on 0.15µm QGaN15 on the SiC process in a 4mm x 3mm x 0.65mm mold-encapsulated QFN package. These amplifiers feature a 8.5GHz to 10.5GHz operating frequency range, 2W saturated output power, 50% power-added efficiency, and 27dB of large signal gain. The QPA0001 amplifiers also feature 33dBm output power, -40°C to 85°C operating temperature range, 16V drain voltage, and 55mA drain current. These amplifiers are ideal for commercial, military radar, and communications.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 操作頻率 工作電源電壓 運作供電電流 增益 類型 安裝風格 技術 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Qorvo RF放大器 X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN 54庫存量
最少: 1
倍數: 1

8.5 GHz to 10.5 GHz 16 V 55 mA 33 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN - 40 C + 85 C QPA0001 Reel
Qorvo RF放大器 X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 250
倍數: 250
: 250

QPA0001 Reel