XHP™ 2 & 3 IGBT Modules

Infineon Technologies XHP™ 2 and 3 IGBT Modules are designed for high-power applications, ranging from 1.7kV to 6.5kV. The Infineon modules are ideal for demanding uses like traction, CAV, and medium-voltage drives. The devices offer scalable design, top-notch reliability, and the highest power density.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
Pd - 功率消耗
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1200 A dual IGBT module
規格書
24庫存量
最少： 1
倍數： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1200 A dual IGBT module
規格書
20庫存量
最少： 1
倍數： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1800 A dual IGBT module
規格書
13庫存量
最少： 1
倍數： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1800 A dual IGBT module
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray