XHP™ 2 & 3 IGBT Modules

Infineon Technologies XHP™ 2 and 3 IGBT Modules are designed for high-power applications, ranging from 1.7kV to 6.5kV. The Infineon modules are ideal for demanding uses like traction, CAV, and medium-voltage drives. The devices offer scalable design, top-notch reliability, and the highest power density.

結果: 8
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
Pd - 功率消耗
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1200 A dual IGBT module
規格書
24庫存量
最少： 1
倍數： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1800 A dual IGBT module
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1800 A dual IGBT module
規格書
11庫存量
最少： 1
倍數： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT 模組
規格書
3在途量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.68 V 1.4 kA 200 nA 1.4 MW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組
規格書
3在途量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.65 V 2 kA 20 mW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1200 A dual IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 4
倍數： 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray