UWSC超寬帶可引線結合的矽電容器

Murata UWSC超寬帶可引線結合的矽電容器適用於光通訊系統(ROSA/TOSA、SONET及所有光電組件),以及高速資料系統或產品。UWSC組件設計用於DC解耦和旁通應用,因為該電容器在高於26GHz頻率時提供高抑制。UWSC電容器使用深溝和MOS半導體工藝製成,可滿足低和高電容要求。

結果: 10
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 電容 額定電壓 封裝/外殼 耐受性 系列 溫度系數 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 Low profile, High frequency, Low ESL, Wirebonding 93庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

0.01 uF 16 V 0202 (0505 metric) 15 % UWSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 80庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

0.01 uF 0202 (0606 metric) 15 % UWSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 暫無庫存
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

1000 pF 0202 (0505 metric) UWSC - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 暫無庫存
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

100 pF 0202 (0606 metric) 15 % UWSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 無庫存前置作業時間 22 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

0.01 uF 0303 (0808 metric) 15 % UWSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 暫無庫存
最少: 400
倍數: 400

100 pF 0101 (0303 metric) 15 % UWSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Waffle
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 暫無庫存
最少: 400
倍數: 400

47 pF 0201 (0603 metric) 15 % UWSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Waffle
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 暫無庫存
最少: 400
倍數: 400

150 pF 015015 (3838 metric) 15 % UWSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Waffle
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 暫無庫存
最少: 400
倍數: 400

1000 pF 0101 (0303 metric) 15 % UWSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Waffle
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 暫無庫存
最少: 400
倍數: 400

1000 pF 0101 (0303 metric) 15 % UWSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Waffle