NTD360N80S3Z

Name: onsemi NTD360N80S3Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTD360N80S3Z
Price: 31.56 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NTD360N80S3Z

製造商編號：

NTD360N80S3Z

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET SF3 800V 360MOHM DPAK

規格書:

NTD360N80S3Z 規格書

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$31.56	HK$31.56
	HK$20.71	HK$207.10
	HK$14.55	HK$1,455.00
	HK$12.91	HK$6,455.00
	HK$11.75	HK$11,750.00
完整捲（訂購多個2500）
	HK$10.52	HK$26,300.00
10,000	報價

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	800 V
Id - C連續漏極電流:	13 A
Rds On - 漏-源電阻:	360 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.8 V
Qg - 閘極充電:	25.3 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	96 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	onsemi
產品類型:	MOSFETs
系列:	NTD360N80S3Z
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
每件重量:	360 mg

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規格書

NTD360N80S3Z 規格書

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTD360N80S3Z SUPERFET® III MOSFET

onsemi NTD360N80S3Z SUPERFET® III MOSFET is optimized for the primary switch of a flyback converter, enabling lower switching losses and case temperature. This MOSFET incorporates an internal Zener diode that improves the ESD capability. onsemi NTD360N80S3Z MOSFET features 800V drain-to-source voltage (V_DSS), 360mΩ maximum drain-to-source resistance R_DS(on), and 13A maximum drain current (I_D). Typical applications include adapters/chargers, LED lighting, AUX power, audio, and industrial power.

SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET^® III MOSFET是高電壓超級結(SJ)N通道MOSFET，設計用於滿足電訊、伺服器、電動汽車 (EV) 充電器及太陽能產品的高功率密度、系統效率及出色的可靠性要求。這些裝置融合一流可靠性、低EMI、卓越效率及卓越的熱性能，使它們成為高性能應用的理想選擇。憑藉其性能特性， SuperFET III MOSFET提供的廣泛封裝選項可為產品設計師提供高度靈活性，特別是尺寸受限的設計。