SQS660CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQS660CENW-T1_GE3
SQS660CENW-T1_GE3

製造商：

說明：
MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個3000）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$10.93 HK$10.93
HK$6.87 HK$68.70
HK$4.55 HK$455.00
HK$3.56 HK$1,780.00
HK$3.23 HK$3,230.00
完整捲（訂購多個3000）
HK$2.82 HK$8,460.00
HK$2.68 HK$16,080.00
HK$2.62 HK$23,580.00
HK$2.56 HK$61,440.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8W
N-Channel
1 Channel
60 V
18 A
11.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
17.4 nC
- 55 C
+ 175 C
62.5 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 5 ns
互導 - 最小值: 26 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 4 ns
系列: SQS
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: TrenchFET Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 20 ns
標準開啟延遲時間: 12 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SQS660CENW Automotive N-Ch 60V MOSFET

Vishay / Siliconix SQS660CENW Automotive N-Ch 60V MOSFET is an AEC-Q101 qualified TrenchFET® power MOSFET. The SQS660CENW is specified at 18A ID and 60V VDS. The single configuration device is offered in a PowerPAK® 1212-8W package with an operating junction and storage temperature range of -55°C to +175°C.

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