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BST400D12P4A101

Name: ROHM Semiconductor BST400D12P4A101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST400D12P4A101
Price: 5040.42 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

755-BST400D12P4A101

製造商編號：

BST400D12P4A101

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET模組 half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

BST400D12P4A101 規格書

ECAD模型:

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單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$5,040.42	HK$5,040.42
	HK$4,258.54	HK$42,585.40

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET模組
技術:	SiC
安裝風格:	Press Fit
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	394 A
Rds On - 漏-源電阻:	8.6 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.8 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	1.667 kW
封裝:	Bulk
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Dual
下降時間:	42 ns
產品:	Power Module
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	102 ns
原廠包裝數量:	80
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	EcoSiC
標準斷開延遲時間:	198 ns
標準開啟延遲時間:	119 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

BST400D12P4A101 規格書

Specification Sheets

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合規守則

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 日本
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules

ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 TRCDRIVE pack™ with 2-in-1 SiC Molded Modules feature 1200V rated voltage in a compact package with 41.6mm × 52.5mm dimensions. These modules integrate 4th Generation SiC MOSFETs for a power-dense design that greatly reduces the size of electric vehicle (xEV) inverters. ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 modules support up to 300kW and feature a terminal configuration designed to meet the critical challenges of traction inverters regarding miniaturization, higher efficiency, and fewer person-hours. These modules do not require soldering for the signal terminals, offering ease of use for designers.

高密度SiC功率模組

ROHM Semiconductor高密度碳化矽 (SiC) 功率模組專為支援汽車和工業應用中的高效功率轉換而設計。該系列包括TRCDRIVE pack™、HSDIP20、DOT-247等多種封裝平臺，每種均針對不同的功率等級和系統需求進行了優化。這些封裝將SiC MOSFET集成至緊湊的模組結構中，能實現高功率密度、穩定開關性能和高效的熱管理。根據封裝類型的不同，提供有諸如2和1、4合1和6合1等配置，為各種功率轉換和馬達驅動應用提供了靈活性。