CGHV14800F

Name: MACOM CGHV14800F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV14800F
Price: 12857.48 HKD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

941-CGHV14800F

製造商編號：

CGHV14800F

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

規格書:

CGHV14800F 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於MACOM CGHV14800F的資訊

供貨情況

庫存：: 暫無庫存

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 26 週工廠預計生產時間。

此產品已報告長備貨期。

輸入數量：

最少： 10 多個： 10

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$12,857.48	HK$128,574.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	440117
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	150 V
Id - C連續漏極電流:	24 A
Vgs th - 門源門限電壓 :	- 3.8 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 100 C
品牌:	MACOM
開發套件:	CGHV14800F-TB
增益:	14 dB
最大工作頻率:	1.4 GHz
最低工作頻率:	1.2 GHz
輸出功率:	800 W
封裝:	Tray
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	10
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V to 2 V
每件重量:	71 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CGHV14800F 規格書 (PDF)

PCN

此功能需要啟用JavaScript。

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 美國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

CGHV14800 GaN HEMT

MACOM CGHV14800F 800W Gallium-Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed specifically for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The module is ideal for 1.2GHz to 1.4GHz L-band radar amplifier applications, such as air traffic control (ATC), weather, penetration, and military. MACOM CGHV14800F GaN HEMT operates at 50V, typically delivering more than 65% drain efficiency. This device is supplied in a ceramic/metal flange type 440117 package.