UF4C/SC 1200V第4代SiC FET

Qorvo UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET是高性能係列,可提供業界最佳的品質因數。UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC FET是用於電動汽車充電器、工業電池充電器、工業電源、可再生能源、能源儲存、焊機、UPS和感應加熱應用中主流800 V匯流排架構的理想之選。Gen 4系列提供23mΩ 至70mΩ 選項,基於獨特的共源共柵配置,其中高性能SIC JFET與共源共柵優化的Si-MOSFET共同封裝,以生產標準柵極驅動SIC組件。此功能允許在不改變柵極驅動電壓的情況下進行靈活設計,輕鬆替換Si IGBT、Si FET、SiC FET或Si超級結裝置。

結果: 11
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO247-4 768庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-3 678庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO263-7 747庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO263-7 513庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO263-7 692庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-3 674庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 416庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 81庫存量
600預期20/7/2026
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET UF4C120053B7S 200庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET UF4C120070B7S 200庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO247-4 2庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET