RB098BGE Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RB098BGE Schottky Barrier Diodes are high reliability, power mold type devices. The RB098BGE features super low IR and a cathode common dual type. The device also features a silicon epitaxial planar structure.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 安裝風格 封裝/外殼 配置 技術 If - 順向電流 Vrrm - 重複反向電壓 Vf - 順向電壓 Ifsm - 順向浪湧電流 Ir - 反向電流 最高工作溫度 封裝
ROHM Semiconductor 肖特基二極體及整流器 RECT 60V 6A SM SKY BARRI 2,359庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 60 V 830 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 肖特基二極體及整流器 RECT 30V 3A SM SKY BARRI 2,490庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 35 V 720 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor 肖特基二極體及整流器 RECT 40V 3A SM SKY BARRI 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 45 V 770 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel