SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.

結果: 48
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 配置 If - 順向電流 Vrrm - 重複反向電壓 Vf - 順向電壓 Ifsm - 順向浪湧電流 Ir - 反向電流 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V/4A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode 2,000庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole ITO-220AC -2 Single 4 A 650 V 1.5 V 360 A 2.5 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V/6A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode 1,988庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole ITO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 320 A 2 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC Schottky Barrier Diode 1,500庫存量
最少: 1
倍數: 1

Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC Schottky Barrier Diode 1,500庫存量
最少: 1
倍數: 1

Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 941庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 650 V 1.3 V 320 A 1.6 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 2,000庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220AC -2 Single 6 A 650 V 1.3 V 392 A 600 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 2,000庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 539 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 2,000庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 320 A 1.6 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 1,995庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 584 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC Schottky Barrier Diode 1,797庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

SMD/SMT TO-252AA-3 Single 8 A 1.2 kV 1.5 V 560 A 6 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC Schottky Barrier Diode 124庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 1.2 kV 1.5 V 560 A 5 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 2,400
倍數: 800
: 800

Reel
Panjit 碳化矽肖特基二極管 1200V SiC Schottky Barrier Diode 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 2,400
倍數: 800
: 800

Reel
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V/8A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 2,000
倍數: 50

Through Hole ITO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 480 A 3 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V/10A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 2,000
倍數: 50

Through Hole ITO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 560 A 3 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 2,000
倍數: 2,000

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 320 A 2 uA - 55 C + 175 C SiC Gen.1 Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 無庫存前置作業時間 35 週
最少: 2,000
倍數: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 392 A - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 無庫存前置作業時間 19 週
最少: 2,000
倍數: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 696 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 無庫存前置作業時間 35 週
最少: 2,000
倍數: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.5 V 539 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 無庫存前置作業時間 19 週
最少: 2,000
倍數: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 904 A 2.9 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 無庫存前置作業時間 35 週
最少: 2,000
倍數: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 584 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 無庫存前置作業時間 19 週
最少: 2,000
倍數: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 1 kA 2.1 uA - 55 C + 175 C Tube
Panjit 碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode 無庫存前置作業時間 35 週
最少: 2,000
倍數: 50

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.5 V 696 A 400 nA - 55 C + 175 C Tube