FDD86102 N通道PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor FDD86102 N通道PowerTrenchMOSFET採用先進的PowerTrench製程生產,該製程在導通電阻、開關過程及耐用度方面已經得到最佳化。Fairchild Semiconductor FDD86102 MOSFET具有極快的開關速度、高功率和電流處理能力,廣泛用於是表面貼裝封裝。此Fairchild PowerTrench MOSFET專用於DC-DC轉換應用。

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝

onsemi MOSFET 100V N-Channel PowerTrench 11,960庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 8 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 13.4 nC - 55 C + 125 C 3.1 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 881庫存量
12,500在途量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel