CSD17309Q3

Texas Instruments
595-CSD17309Q3
CSD17309Q3

製造商：

說明：
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於Texas Instruments CSD17309Q3的資訊

庫存量: 6,044

庫存：
6,044 可立即送貨
工廠前置作業時間：
6 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個2500）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$14.39 HK$14.39
HK$9.21 HK$92.10
HK$6.09 HK$609.00
HK$5.33 HK$2,665.00
HK$4.69 HK$4,690.00
完整捲（訂購多個2500）
HK$4.01 HK$10,025.00
HK$3.62 HK$18,100.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
60 A
5.4 mOhms
- 8 V, 8 V
1.2 V
7.5 nC
- 55 C
+ 150 C
2.8 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Texas Instruments
配置: Single
開發套件: DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
下降時間: 3.6 ns
互導 - 最小值: 67 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 9.9 ns
系列: CSD17309Q3
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 13.2 ns
標準開啟延遲時間: 6.1 ns
每件重量: 44.500 mg
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

CSD17309Q3 NexFET™ Power MOSFET

Texas Instruments CSD17309Q3 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and is optimized for 5V gate drive applications. The Texas Instruments CSD17309Q3 N-Channel NexFET MOSFET features ultra-low on-resistance and low thermal resistance. This MOSFET is ideal for notebook point of load and point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems applications.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。