DMP4047SK3-13

Name: Diodes Incorporated DMP4047SK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMP4047SK3-13
Price: 8.14 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

621-DMP4047SK3-13

製造商編號：

DMP4047SK3-13

製造商：

Diodes Incorporated

說明：

MOSFET 40V P-Ch Enh FET 45mOhm -10V

規格書:

DMP4047SK3-13 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$8.14	HK$8.14
	HK$5.06	HK$50.60
	HK$3.30	HK$330.00
	HK$2.54	HK$1,270.00
	HK$2.30	HK$2,300.00
完整捲（訂購多個2500）
	HK$1.76	HK$4,400.00
	HK$1.69	HK$8,450.00
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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Diodes Incorporated
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	40 V
Id - C連續漏極電流:	20 A
Rds On - 漏-源電阻:	40 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1 V
Qg - 閘極充電:	23.2 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.6 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降時間:	28.6 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	28.2 ns
系列:	DMP40
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 P-Channel
標準斷開延遲時間:	38.8 ns
標準開啟延遲時間:	18.5 ns
每件重量:	330 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

DMP4047SK3-13 規格書 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMP4047 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMP4047 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs minimize on-state resistance while maintaining superior switching performance. DMP4047 offers a low on-resistance of 55mΩ (max.), -40V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, -1µA zero gate threshold voltage, ±100nA gate source leakage, -3.0V gate threshold voltage (max.), and a 8.5ns turn-on delay time. The device is ideal for high efficiency power management applications such as backlighting, DC-DC converters, and power management functions.