R8002ANJ & R8005ANJ & R8008ANJ Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R8002ANJ and R8005ANJ and R8008ANJ Power MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. The MOSFETs are suitable for switching applications. The devices feature low on-resistance, have a fast switching speed, and a gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 5A N-CH MOSFET
規格書
1,986庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 20 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 2A N-CH MOSFET
規格書
1,919庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 8A N-CH MOSFET
規格書
1,826庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 1.03 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape