NTBS9D0N10MC

Name: onsemi NTBS9D0N10MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBS9D0N10MC
Price: 29.76 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NTBS9D0N10MC

製造商編號：

NTBS9D0N10MC

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET PTNG 100V 9.0MOHM D2PAK-3L

規格書:

NTBS9D0N10MC 規格書

ECAD模型:

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	HK$13.65	HK$1,365.00
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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	60 A
Rds On - 漏-源電阻:	9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	23 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	68 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	onsemi
產品類型:	MOSFETs
系列:	NTBS9D0N10MC
原廠包裝數量:	800
子類別:	Transistors
每件重量:	360 mg

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所選屬性: 0

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規格書

NTBS9D0N10MC 規格書

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTBS9D0N10MC Single N-Channel MOSFET

onsemi NTBS9D0N10MC Single N-Channel MOSFET offers low drain-to-source ON-resistance R_DS(ON) that minimizes conduction losses. This MOSFET provides low total gate charge (Q_G) and capacitance that minimizes driver losses. onsemi NTBS9D0N10MC MOSFET lowers switching noise/electromagnetic interference (EMI). This MOSFET features 100V drain-to-source voltage (V_DSS) and 60A maximum continuous drain current (I_D). Typical applications include power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.