NTH4L060N065SC1

Name: onsemi NTH4L060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L060N065SC1
Price: 69.38 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

863-NTH4L060N065SC1

製造商編號：

NTH4L060N065SC1

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

規格書:

NTH4L060N065SC1 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於onsemi NTH4L060N065SC1的資訊

庫存量: 430

庫存：: 430 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 17 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$69.38	HK$69.38
	HK$51.05	HK$510.50
	HK$49.65	HK$4,965.00
	HK$47.92	HK$21,564.00
	HK$47.76	HK$42,984.00
2,700	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	33 A
Rds On - 漏-源電阻:	70 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.3 V
Qg - 閘極充電:	74 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	88 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	EliteSiC
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	11 ns
互導 - 最小值:	12 S
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	14 ns
系列:	NTH4L060N065SC1
原廠包裝數量:	450
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	24 ns
標準開啟延遲時間:	11 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NTH4L060N065SC1 規格書

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NTH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET provides superior switching performance and higher reliability. The MOSFET has low ON resistance and its compact chip size ensures low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

將閘極驅動器與EliteSiC MOSFET搭配使用

電動車充電、能源儲存、不斷電系統 (UPS) 和太陽能等能源基礎設施應用正在將系統功率推至數百千瓦，甚至兆瓦等級。這些高功率應用採用半橋、全橋和三相拓撲，為逆變器和BLDC提供多達6個開關的工作週期。視功率等級和開關速度而定，系統設計人員需要包括矽、IGBT和SiC等各種不同的開關技術來滿足其應用要求。